Growth rates of GaAs in the low pressure MOCVD process have been studied as a function of both lateral and axial position in a horizontal reactor with rectangular cross-section (AIXTRON system, see D. Schmitz et al., J. Crystal Growth 93 (1988) 312). For all experiments a steady decrease of the growth rate along the flow direction has been found. I...
Zur Untersuchung des Verhaltens von verschiedenen Glaszielen bei Beschußbeanspruchung mit Wolframkarbid-Projektilen wurden Experimente und numerische Simulationen durchgeführt. Da das Projektil die Ziele in den meisten Fällen ohne signifikante Beschädigung durchschlug, konnten sich die Untersuchungen auf die analyse des ballistischen Verhaltens der...
Probleme der statischen und dynamischen Festigkeitsuntersuchungen des Werkstoffes Eisen werden erläutert und Untersuchungen durchgeführt, die zum besseren Verständnis der mechanischen Eigenschaften des reinen Eisens bei höheren Temperaturen und großen Belastungsgeschwindigkeiten beitragen. Taylor-Tests geben Hinweise auf die dynamische Fließgrenze ...
Zur Untersuchung des Verhaltens von verschiedenen Glaszielen bei Beschußbeanspruchung mit Wolframkarbid-Projektilen wurden Experimente und numerische Simulationen durchgeführt. Da das Projektil die Ziele in den meisten Fällen ohne signifikante Beschädigung durchschlug, konnten sich die Untersuchungen auf die Analyse des ballistischen Verhaltens der...
