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Réalisation et modélisation Monte-Carlo du Transistor Bipolaire à Hétérojonctions NnpnN InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs

Authors
  • Pelouard, J.L.
  • Hesto, P.
  • Praseuth, J.P.
  • Goldstein, L.
Publication Date
Jan 01, 1987
Source
HAL
Keywords
Language
French
License
Unknown
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Abstract

Ce papier présente une étude expérimentale et une analyse par simulation Monte-Carlo de Transistors Bipolaires à Hétérojonctions InGaAlAs/InGaAs/InGaAlAs avec et sans espaceurs. Ces espaceurs, destinés à séparer les jonctions électriques et métallurgiques, permettent de diminuer les hauteurs de barrière vues par les électrons tout en conservant celles vues par les trous. L'injection, de nature thermoïonique pour les hétérojonctions abruptes, se fait par effet diffusif lorsque l'on introduit un espaceur, et ainsi le coefficient d'injection est augmenté. D'autre part les espaceurs au collecteur conduisent à une meilleure collection des électrons, cette collection étant facilitée par une injection d'électrons chauds dans le cas d'une hétéro jonction émetteur-base abrupte. Les gains en courant en émetteur commun obtenus sont supérieurs à 100.

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