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Process control of epitaxial growth of single-crystal and polycristalline silicon for microsystems applications / Maitrise des procédés de croissance épitaxiale du silicium monocristallin et polycristallin pour des applications micro-systèmes

Authors
  • SAGAZAN, Olivier de
  • BONNAUD, Olivier
Publication Date
Jan 01, 2005
Source
OpenGrey Repository
Keywords
Language
French
License
Unknown

Abstract

Cette étude a porté sur l optimisation de la croissance épitaxiale du silicium poly/mono cristallin en couche épaisse pour la réalisation de micro-systèmes.Dans un premier temps l étude a consisté à adapter le procédé EPIPOLY (Epitaxial Polysilicon) à nos réacteurs. Dans l optique de réaliser des micro-systèmes à couches épaisses sans utiliser de gravure profonde, une méthode de croissance sélective du polysilicium etd épitaxie sélective a été développée. Afin de valider les propriétés de nos couches épaisses et d apprécier l intérêt de la croissance sélective, plusieurs démonstrateurs tel des actionneurs thermiques ou des résonateurs électrostatiques ont été réalisés. Ceux-ci ont validé les bonnes caractéristiques mécaniques, thermiques et électriques de nos couches Enfin l étude des mécanismes de l épitaxie sélective du silicium a permis de développer une méthode pour réaliser des canaux enterrés dans le silicium, application très utile dans le refroidissement des circuits intégrés / RENNES1-BU Sciences Philo (352382102) / Sudoc / Sudoc / France / FR

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