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Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVD

Authors
  • Le Bellégo, Y.
  • Blanconnier, P.
  • Praseuth, J.P.
Publication Date
Jan 01, 1990
Source
HAL
Keywords
Language
French
License
Unknown
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Abstract

Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs. La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisation de structures MIS sur GaInAs et InP. Aucune dégradation du courant de fuite n'a été observé sur les photodiodes pin de type mesa avant et après le dépôt de SiNx . Finalement, la passivation a été testée par une expérience de vieillissement à haute température.

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