Affordable Access

Optimisation du procédé de réalisation pour l'intégration séquentielle 3D des transistors CMOS FDSOI

Authors
  • Xu, Cuiqin
Publication Date
Oct 09, 2012
Source
HAL-UPMC
Keywords
Language
French
License
Unknown
External links

Abstract

L’activation à basse température est prometteuse pour l’intégration 3D séquentielle où lebudget thermique du transistor supérieur est limité (<650 ºC) pour ne pas dégrader letransistor inférieur, mais aussi dans le cas d’une intégration planaire afin d’atteindre des EOTultra fines et de contrôler le travail de sortie de la grille sans recourir à une intégration de type« gate-last ». Dans ce travail, l’activation par recroissance en phase solide (SPER) a étéétudiée afin de réduire le budget thermique de l’activation des dopants.L’activation à basse température présente plusieurs inconvénients. Les travauxprécédents montrent que les fuites de jonctions sont plus importantes dans ces dispositifs.Ensuite, des fortes désactivations de dopants ont été observées. Troisièmement, la faiblediffusion des dopants rend difficile la connexion des jonctions source et drain avec le canal.Dans ce travail, il est montré que dans un transistor FDSOI, l’augmentation des fuites dejonctions et la désactivation du Bore peuvent être évités grâce à la présence de l’oxyde enterré.De plus les conditions d’implantation ont été optimisées et les transistors activés à650 ºC atteignent les performances des transistors de référence.

Report this publication

Statistics

Seen <100 times