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Struktur zur messung von flächenwiderständen beim planarverfahren

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
12
Issue
5
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(69)90097-5

Abstract

Zusammenfassung Bei der Silizium-Planar-Technologie ist es wünschenswert, die spezifischen Flächenwiderstände der Basiszone neben und unterhalb des Emitters, sowie der Emitterzone und die Kontaktwiderstände zu kennen. Eine geeignete Methode wird beschrieben. Sie benutzt neben anderen Strukturen einen Transistor mit Tetrodenstruktur. Die Dimensionen der notwendigen Photomaske werden angegeben.

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