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Exaltation de la cinétique d'oxydation de la surface gaas(100) par le lithium, le potassium et le césium : emécanisme et rôle de l'ion o#2#

Authors
  • Araghi Kozaz, Houchang
Publication Date
May 30, 1991
Source
HAL
Keywords
Language
French
License
Unknown
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Abstract

Le but du présent travail était d'étudier la nature et le rôle des espèces oxygéné formées lors de l'oxydation de surfaces gaas(100) c(28) riches en gallium precouvertes de li, k ou cs (1 monocouche). Les analyses ont été faites sous ultra-vide par spectroscopies d'électrons Auger et de photoélectrons, spectrométrie de masse et mesure de potentiel de sortie. Les rendements initiaux d'adsorption de l'oxygéné sont fortement exaltés par la présence d'éléments alcalins: 0,40,04 avec li et 0,70,07 avec k ou cs, à comparer à 10##4 sur la surface nue. L'oxydation du substrat est précédée d'une période d'induction au-delà de laquelle cs et k s'avèrent être des promoteurs d'oxydation dix fois plus efficaces que li. On note que le début de l'oxydation coïncide avec le minimum de potentiel de sorite induit par l'oxygéné (ce dernier est classiquement observe). Dans le cas du système o#2/1 monocouche cs+gaas(100), la période d'induction correspond à la formation de l'ion o#2#2# et à l'oxydation du césium seul. On observe ensuite que le début de l'oxydation du substrat est corrélé avec l'apparition de l'ion o#2#. On suggère que: a) o#2# est un précurseur d'oxydation du substrat, b) cet ion o#2# est le produit d'une activation de l'oxygéné par la surface à très bas potentiel de sortie formée pendant la période d'induction (2cs#++o#2#2#), c'est-a-dire que cette surface abaisse la barrière énergétique de la réaction o#2 gazo#2#

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