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Epitaxial films produced on germanium and silicon surfaces by the vacuum deposition of silver

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
7
Issue
9
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(64)90054-1

Abstract

Résumé L'étude de la diffraction des électrons de l'épitaxe des pellicules d'Ag sur les couches inférieures des cristaux simples a été étendue au Ge et Si qui forment avec l'Ag de simples ensembles eutectiques binaires. L'épitaxie observée sur les cristaux homopolaires était la même que celle qui se trouve sur les cristaux ioniques ClNa et F 2Ca habituellement employés qui ont les mêmes paramètres de treillis que les semiconducteurs. En apparence, ni la différence d'attache ni la formation d'alliages d'Ag avec le Si et le Ge n'ont d'effets appréciables sur l'épitaxie. Le treillis de l'Ag ou d'un alliage à base d'Ag était parallèle à la couche inférieure du treillis et était aussi hémitrope aux plans (111); sur les surfaces des couches inférieures (111), l'hémitropie s'est produite seulement sur le plan (111) parallèle à la surface. Les pellicules déposées sur les couches inférieures de Ge avaient toujours une orientation aléatoire qui pouvait être éliminée par la recuite. Sur le Si, toutes les pellicules avaient une orientation aléatoire prononcée et l'orientation épitaxiale était instable probablement due à l'oxyde de Si à la surface. Une pellicule fine, pas d'Ag, a été trouvée sur le Ge (111) après la déposition et/ou la recuite à des températures relativement élevées, près du point de fusion eutectique, 650°C. Sa disposition atomique était héxagonale comme les atomes de Ge dans le plan de surface mais plus de 3 fois plus grande (ou (3) 2 fois plus petite) et décalée de 30° (ou 90°). D'autres explications concernant cette pellicule et ses relations épitaxiales appellées quasi-cohérence sont discutées y compris les contaminants avec le paramètre de treillis nécessaire.

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