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Recombination statistics for auger effects with applications to p-n junctions

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
6
Issue
2
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(63)90012-1

Abstract

Zusammenfassung Die bekannte Shockley-Read Rekombinationsstatistik wird derart verallgemeinert, dass Auger-Übergänge eingeschlossen sind. Dadurch ergibt sich ein neuer Ausdruck für die stationäre Rekombinationsrate von Elektronen und Löchern. Es wird dann gezeigt, dass sich die Stromdichte in einem p-n-Übergang als die Summe der Rekombinationsströme darstellen lässt. Auf der Grundlage dieser Vorstellungen werden die kenngrössen von Übergängen diskutiert, die dann unter verschiedenartigen Bedingungen in grobem Umriss klassifiziert werden. Dabei wird nur der Fall einer mässigen Vorspannung in Betracht gezogen unter Annahme der Gültigkeit der Massenwirkungsgesetze, wobei die betreffenden Konstanten von der angelegten Spannung unabhämgig sind. Ausserdem wird eine einfache Variation des quasi-Fermi- und elektrostatischen Potentials im Übergang vorausgesetzt, und die Begrenzungen des Modells werden erörtert. Die Konstanten der Massenwirkung können aud den experimentellen Kenngrössen bestimmt werden.

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