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ESTUDIO DE LA COLA DE URBACH EN SEMICONDUCTORES CRISTALINOS DE BRECHA INDIRECTA

Authors
Publisher
Revista Técnica de la Facultad de Ingeniería Universidad del Zulia
Publication Date
Keywords
  • Brecha Indirecta
  • Absorción óptica
  • Colas De Banda
  • Regla De Urbach

Abstract

Resumen En este trabajo se estudiaron los parámetros de las colas de bandas en GaP, Ge y Si, semiconductores de brecha indirecta, a partir de datos encontrados en la literatura. Se comprobó que el borde de absorción óptico de los materiales estudiados obedece la Regla de Urbach. Se estableció que el desorden estructural en materiales monocristalinos es aproximadamente cero, producto del desorden natural en la red del cristal. El ancho de la cola o energía de Urbach que se determinó en los tres materiales se mantuvo entre 20 y 39 meV para 77K y 60 y 70 meV para 300K. El parámetro de "steepness" obtenido para cada material fue menor de 0.55, describiendo una fuerte interacción fonónica típica en el comportamiento de los semiconductores de brecha indirecta.

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