Duenne tantalbasierte Diffusionsbarrieren fuer die Kupfer-Leitbahntechnologie Thermische Stabilitaet, Ausfallmechanismen und Einfluss auf die Mikrostruktur des Metallisierungsmaterials

Authors

• Huebner, R.

Publication Date

Jan 01, 2004

Source

OpenGrey Repository

Keywords

• 09A - Components
• Copper
• Diffusion
• Heat Treatments
• Layers
• Microstructure
• Passivation
• Silicon
• Silicon Oxides
• Tantalum
• Tantalum Nitrides
• Temperature Range 0400-1000 K
• Transmission Electron Microscopy
• X-Ray Diffraction

License

Unknown

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• Full record on hdl.handle.net