Concept de grille quasi-flottante pour la protection d'un MOSFET SiC et la surveillance de l'intégrité de son oxyde basé sur une architecture de driver à résistances de grilles commutées

La protection efficace sur courts-circuits du MOSFET SiC tout comme la surveillance de l'intégrité de son oxyde reste un enjeu de premier plan dans l'usage de ces composants. Dans cet article, une architecture parallèle originale de gate driver à résistances de grille commutées permettant de concilier dynamique en commutation et détection de divers défauts est présentée. Cette méthode met à profit les variations de charge de grille apparaissant en régimes de défaut, en isolant partiellement la grille entre l'amorçage et le blocage afin de la rendre plus sensible aux signatures électriques de défauts. L'architecture de commande est caractérisée et validée sur banc de test avec des MOSFETs SiC de calibre 1200V-36A.