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Radiative recombination in germanium as an indicator of radiation damage

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
6
Issue
4
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(63)90099-6

Abstract

Résumé Il est demontré que la recombinaison rayonnante des paires électrons-trous d'un semiconducteur peut être utilisée comme monitrice de la durée de vie des porteurs minoritaires. En observant le changement dans le signal rayonnant sous un bombardement d'electrons issu du germanium de type p et n pour une grande gamme de concentrations de porteurs majoritaires, il est démontré qu'un seul type de centre de recombinaison peut rendre compte de la durée de vie des porteurs minoritaires. Ce niveau est localisé à soit 0,21 eV de la bande de conduction soit 0,28 eV de la bande de valence, et a une probabilité de capture de trous minoritaires 24 fois plus grande que pour les électrons minoritaires. Cette technique peut être employée pour l'étude des dégâts dûs au rayonnement dans d'autres semiconducteurs où la recombinaison rayonnante électrons-trous peut être observée. Un des principaux avantages de la méthode est que les changements dans la durée de vie des porteurs minoritaires peuvent être décelés dans des matériaux dont la durée de vie initiale peut être de l'ordre de 10 −10 sec.

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