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Formation of the complement of an agglomerated film

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
10
Issue
4
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(67)90020-2

Abstract

Zusammenfassung Beim Aufdampfen von dünnen Schichten aus Indium, Blei oder Zinn auf geeignete Substrate bildet sich zuerst ein noch unzusammenhängendes Agglomerat. Dessen Lücken können durch anschliessendes Bedampfen mit einem anderen Material, z.B. Chrom, das seinerseits nicht zu Agglomeratbildung neigt, ausgefüllt werden. Durch selektives Abätzen bekommt man das Komplement des ursprünglichen Dünnschichtagglomerats. Dieses Aufdampfverfahren wurde untersucht. Die optische Durchlässigkeit und die elektrische Leitfähigkeit der hergestellten komplementären dünnen Schichten wurden gemessen. Als Einheitsdicke t c wird diejenige Dicke der ursprünglichen Agglomeratsschicht genommen, bei welcher diese Schicht den elektrischen Strom zu leiten beginnt. Die an den komplementären Schichten gemessenen Eigenschaften waren unabhängig von der Substrattemperatur, bei welcher die ursprüngliche Schicht aufgedampft wurde, sie veränderte sich aber mit der Aufdampfgeschwindigkeit für diese Schicht. Die Durchlässigkeit der komplementären Schichten nahm mit wachsender Dicke zu. Für 0,9 t c erreichte die Durchlässigkeit bei grossen Aufdampfgeschwindigkeiten ungefähr 60 prozent und bei kleineren Geschwindigkeiten 80 prozent. Das Widerstandsverhältnis der komplementären Schichten zu normalen Schichten gleicher Dicke aus dem gleichen Material nahm näherungsweise exponentiell mit der Schichtdicke zu, solange diese kleiner als 0,9 t c blieb. Wenig oberhalb dieser Dicke waren die komplementären Schichten nichtleitend. Für 0,8 t c war das Widerstandsverhältnis bei grossen Aufdampfgeschwindigkeiten etwa 10 und bei geringeren Geschwindigkeiten 100 bis 1000. Komplementäre Gold- und Palladiumschichten auf aufgedampften Cadmium-Sulfid-Substraten bildeten p n -Übergänge.

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