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High electric field mobility in InSb

Authors
Journal
Solid State Communications
0038-1098
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
10
Issue
2
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1098(72)90383-3

Abstract

Résumé On attribute la décroissance de la mobilité, à champ èlectrique intense ( E >40V/cm) dans InSb, à l'émission de phonons O.L. Cette mobilité est déterminée en résolvant les équations de mouvement de Heisenberg du système par iteration. La méthode d'iteration adoptée est valable à couplage électron-phonons faible. On montre qu'au premier ordre d'iteration l'émission de phonons O.L. apparait lorsque l'énergie cinétique du porteur de charge est supérieure à un quantum h  ω de vibration O.L. La pente que l'on obtient pour la courbe donnant μ en fonction de E est en bon accord avec l'expérience.

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