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Oxidation stages of aluminium nitride thin films obtained by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD)

Authors
Journal
Journal of the European Ceramic Society
0955-2219
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
8
Issue
5
Identifiers
DOI: 10.1016/0955-2219(91)90123-h

Abstract

Résumé La croissance en couches minces de nitrure d'aluminium orienté (100), sur des plaquettes de silicium (100) et autres substrats, est obtenue à 330°C par MOPECVD. Le comportement à l'oxydation à l'air de ces films est étudié par diffraction des rayons X, microscopie electronique à balayage et spectroscopie des électrons Auger, à des températures allant de 500°C à 1300°C. Deux changements de texture sont observés à 900°C et 1100°C, conduisant respectivement à des couches de type granuleux et poreux, correspondant à la formation d'alumine amorphe et d'alumine α cristallisée. La spectroscopie d'absorption infra-rouge met en évidence un début d'oxydation à 600°C ainsi que la présence d'un oxynitrure d'aluminium entre la couche d'alumine amorphe et le nitrure d'aluminium non transformé.

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