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‘Hot phonon’ contribution to Urbach's tails in semiconductors

Authors
Journal
Solid State Communications
0038-1098
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
14
Issue
12
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1098(74)90646-2

Abstract

Resumen On considère dans les semiconducteurs la recombinaison eletron-trou a des forts niveaux d'injection où les eletrons et trous interagissent avec des phonons chands LO. On montre que le parametre E 0, qui caracterise le bord exponentiel de basse energie du spectre de luminescence, augmente avec l'intensité de l'emission laser en consequence de la concentration croissante des phonons hors equilibre. On présente la dépendence de E 0 avec la temperature effective T ∗ des phonons. Finalement, on montre qu'il y a aussi une contribution de l'interaction eletron-phonon au déplacement du spectre vers les basses energies.

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