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Changes of mobility along a depletion type MOS transistor channel

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
13
Issue
12
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(70)90034-1

Abstract

Résumé Les caractéristiques d'un transistor MOS d'abaissement à canal du type N avec une couche d'inversion intégrale, montrent une déviation considérable du comportement prévu d'un dispositif ayant une mobilité effective constante au long de son canal. L'expérience indique une réduction de la mobilité dans la direction de l'écoulement causée par l'action du champ induit de l'écoulement. On suppose une dépendance fonctionelle de la mobilité sur ce champ menant à une vélocité constante, et un ensemble d'équations décrivant cette méthode est dérivé pour diverses valeurs de la tension d'écoulement. Un dispositif spécial a été construit avec des sondes de potentiel au long de son canal, et les caractéristiques d'écoulement, le point de saturation et la distribution du potentiel au long du canal pour le modèle de mobilité dépendante du champ d'écoulement et pour le modèle à mobilité constante, ont été comparés avec les résultats expérimentaux obtenus avec lui. Le modèle à mobilité variable a été montré être en bien meilleur accord avec l'expérience.

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