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Thickness fluctuations and electric field penetration in thin metal-insulator-metal structures

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
11
Issue
11
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(68)90128-7

Abstract

Résumé En tenant compte des fluctuations d'épaisseur de pellicules, on compare l'épaisseur effective des pellicules d'Al 2O 3 oxydées thermiquement telle que déterminée par les mesures de capacité, de courant ionique et de courant de tunnel. On trouve que les fluctuations d'épaisseur se développent en fonction du temps d'oxydation et de la température d'oxydation; l'épaisseur de pellicule minimum reste toutefois quasi-constante. En interprétant les mesures de capacité, on considére les effets de la pénétration du champ électrique des électrodes. On obtient la longueur caractéristique pour l'aluminium L Al = 0,72 Å. On conclut que m ∗ = m au bord inférieur de la bande de conduction d'Al 2O 3.

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