Affordable Access

Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Co

Authors
Publisher
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Publication Date
Keywords
  • Qc Physics
  • Tk Electrical Engineering. Electronics Nuclear Engineering

Abstract

iss12-10.dvi Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, вып. 12 Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением γ-квантами 60Co © А.Е. Беляев, Н.С. Болтовец∗, А.В. Бобыль†, В.Н. Иванов∗, Л.М. Капитанчукх, В.П. Кладько, Р.В. Конакова¶, Я.Я. Кудрик, А.А. Корчевой, О.С. Литвин, В.В. Миленин, С.В. Новицкий, В.Н. Шеремет Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ∗ Государственное предприятие �Научно-исследовательский институт “Орион“�, 03057 Киев, Украина †Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия х Институт электросварки им. Е.О. Патона Национальной академии наук Украины, 03068 Киев, Украина (Получена 29 апреля 2010 г. Принята к печати 18 мая 2010 г.) Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd−n++-InP и барьерных Au-TiBx−n-n+-n++-InP при облучении γ-квантами 60Co до доз 109 P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омиче- ских контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления ρc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd−n+-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T = 400◦C образце с барьерными контактами Au-TiBx−n-n+-n++InP, облученном до дозы 2 · 108 P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 109 P в образцах, подвергнутых быстрой термичес

There are no comments yet on this publication. Be the first to share your thoughts.