Affordable Access

Growth zones and their boundaries in GaPO4

Authors
Journal
Annales de Chimie Science des Matériaux
0151-9107
Publisher
Lavoisier SAS
Publication Date
Disciplines
  • Physics

Abstract

Résumé Zones de croissance de GaPO 4 et leur limites . L'orthophosphate de gallium (GaPO 4) est un matériau piézoélectrique obtenu par méthode hydrothermale. Les zones de croissance développées par différents facettes et leurs limites peuvent avoir une influence sur la qualité du matériau. Ainsi, une étude théorique et expérimentale de forme, de taille et de propriétés des zones de croissance et de leurs limites dans GaPO 4 a été réalisée. Un programme a été développé, permettant de calculer et de tracer les zones aussi bien d'un cristal que de coupes planes, et de simuler la croissance avec des vitesses déterminées à partir de la morphologie des cristaux. Ce programme a été appliqué à des cristaux obtenus aussi bien par cristallogénèse que par croissance à partir de germes. Expérimentalement, les limites des zones de croissance, qui correspondent à une accumulation des défauts en OH, sont déterminées par mesure d'absorption infrarouge.

There are no comments yet on this publication. Be the first to share your thoughts.

Statistics

Seen <100 times
0 Comments

More articles like this

NMR analysis of GaPO4crystal growth in mixtures of...

on Journal of Crystal Growth Jan 01, 2006

LGS and GaPO4piezoelectric crystals: New results

on Solid State Sciences Jan 01, 2010

Growth striations in GaPO4single crystals obtained...

on Journal of Crystal Growth Jan 01, 2002

Comparative crystal growth of GaPO4crystals in the...

on Journal of Crystal Growth Jan 01, 2005
More articles like this..