Affordable Access

Publisher Website

Delay of the stimulated emission in GaAs laser diodes near room temperature

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
10
Issue
8
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(67)90158-x

Abstract

Zusammenfassung Spezifische Experimente wurden durchgeführt um die Gültigkeit verschiedener Modelle zu prüfen, welche den grossen Zeitverzug zwischen einem Stromimpuls und der Ausbildung kohärenter Ozillationen in geweissin GaAs-Lasern nahe Raumtemperatur erklären sollen. Ein bestimmtes Modell wird entwickelt, das zu guter quantitativer Übereinstimmung mit einigen verschiedenen Experimenten im Temperaturbereich zwischen 200 und 300°K führt. Es zeigt sich, dass der Zeitverzug mit der Annahme einer nicht sehr grossen Zahl von Haftstellen (Konzentration > 10 16 cm -3) vollständig erklärt werden kann. Die von den Haftstellen verursachten optischen Verluste verhindern die Laseraktion der Dioden solange bis sie von Elektronen besetzt sind, welche in die p-Zone des pn- U ̈ bergangs injiziert werden. Es wird postuliert, dass die verhältnismässig lange Zeitdauer zur Auffüllung der Halftstellen von einer Coulombschwelle verursacht wird, wie sie bei Doppelakzeptoren in II–IV-Verbindungen vorkommt.

There are no comments yet on this publication. Be the first to share your thoughts.