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Substitutional doping during ion implantation

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
11
Issue
4
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(68)90031-2

Abstract

Zusammenfassung Es wird gezeigt, dass der Einbau von Verunreinigungsatomen auf normalen Gitterplätzen bei der Ionen-Implantation mit hoher Wahrscheinlichkeit während der Abbremsung der einfallenden Ionen stattfindet. Die Einbauwahrscheinlichkeit wird als Funktion des Massenverhältnisses von einfallenden Ionen zu Gitteratomen für eine Reihe von angenommenen Wechselwirkungspotentialen und Modellen für den Einbauvorgang berechnet. Die Ergebnisse sind verhältnismässig unempfindlich gegen die Details der Wechselwirkungspotentiale und der Modelle.

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