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Electrode effects and bistable switching of amorphous Nb2O5diodes

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
13
Issue
7
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(70)90100-0

Abstract

Résumé Les diodes Nb-Nb 2O 5-métal, après fiasco, exhibent une commutation entre deux états de conduction stables et sont potentiellement utilisables dans une mémoire électriquement changeante. On décrit en détail les processus de formation d'oxyde et de fiasco électrique pour produire des diodes Nb-Nb 2O 5-Bi ayant de bonnes caractéristiques de commutation. Le rapport de conductivités dans les deux états stables varie entre 30 et 100. La commutation d'une conductivité faible à une conductivité élevée nécessite des impulsions de 0,5 à 1,0 μsec; la commutation d'une conductivité élevée à une conductivité faible demande des impulsions de 1,0 à 10 μsec. Les tensions de commutation sont inférieures à 1 volt, les puissances de commutation sont inférieures à 100 μwatt, et la direction de commutation est contrôlée par la polarité de la tension appliquée. On indique comment la stabilité du dispositif est fonction de la température, de l'emmagasinage et de la polarisation. Lorsque des métaux à fonction de travail faible sont utilisés comme contre-électrodes, tels que In, Cd, Zn ou Pb, une inflection de résistance négative contrôlée par tension a lieu dans l'état de conductivité élevée. Les diodes commutent à 4,2°K. La commutation semble être un phénomène électronique prenant place dans un nombre limité de régions dans l'oxyde.

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