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Untersuchungen zur Sauerstoffausscheidung in hoch bordotiertem Silicium

Authors
Publisher
Technische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola"
Publication Date
Keywords
  • Halbleitermesstechnik
  • P-Halbleiter
  • Gitterbaufehler
  • Sauerstoff
  • Bor
  • Silicium
  • Werkstoffkunde
  • Ft-Ir-Spektroskopie
  • Ätzen
  • Neutronenkleinwinkelstreuung
  • Reaktionskinetik
  • Computersimulation
  • Dotierung
  • Neutronenaktivierung
  • Ddc:530
  • Rvk:Vh 8021

Abstract

Die Sauerstoffausscheidung in Silicium wird durch die Höhe der Bordotierung beeinflusst. Mit dem Ziel der Aufklärung der Mechanismen bei der Ausscheidung wurden verschiedene physikalische Messmethoden angepasst und ein breiter Borkonzentrationsbereich charakterisiert. Es wurden die frühen Phasen der Ausscheidungsbildung sowie Komplexbildung als auch das Wachstum der Sauerstoffausscheidungen untersucht. Mithilfe einer neuen Methodenkombination aus alkalischem Ätzen und FTIR-Spektroskopie konnten verschiedene Bor-Komplexe nachgewiesen werden. Die Erkenntnisse über deren Existenz sowie Kinetik wurden numerisch umgesetzt. Mittels Kleinwinkel-Neutronenstreuung wurden erstmals in den frühen Phasen der Sauerstoffausscheidung deren Form und Größe in Abhängigkeit der Borkonzentration bestimmt. Die physikalischen Prozesse, die zu einem beschleunigten als auch anomalen Ausscheidungsverhalten in Abhängigkeit der Borkonzentration führen, konnten teilweise aufgeklärt werden.

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