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Spectrum of fluctuations and lifepath in silicon

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
8
Issue
4
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(65)90117-6

Abstract

Zusammenfassung Der sogennante Schrot-Effekt im Silicium ist klassifizielt in zwei Teile. Der erste ist ein Schrot-Effekt in engerem Sinn. Der andere ist ein Rauschen der Generation-Assoziation. Die theoretischen und experimentalen Unterschiede zwischen beiden Teilen werden erörtert. Dann der Schrot-Effekt in engerem Sinn im Silicium wird nach der Theorie von Hill und Van Vliet erklärt. Die Weglänge eines freien Fluges im Silicium ist mittels der Methode des Rauschen gemessen worden. Die dadurch erreichten Ergebnisse werden mit dem Resultaten von anderen Methoden verglichen. Die Werte der Lebensdauer der Defektelektronen mittels unserer Methode sind mit den durch andere Methoden erreichten gut übereinstimmt.

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