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Electrical properties of diffused zinc on SiO2-Si MOS structures

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
12
Issue
5
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(69)90098-7

Abstract

Résumé Des études ont été faites des caractéristiques C-V des structures SiO 2-Si MOS dans des conditions différentes de température d'oxydation, de traitement thermique, et de revêtement au zinc. On s'attend à ce que le zinc diffus aient trois effets principaux sur les caractéristiques des structures SiO 2-Si MOS. Premièrement, le zinc se comporte comme un ion à charge négative dans une couche de SiO 2 qui compensera un ion à charge positive tel qu'un ion de sodium. Deuxièmement, les atomes de zinc se comportent comme des états à surface réceptive à l'interface de SiO 2 qui peuvent aussi compenser des états à surface donnantes à l'interface. Ces deux effets feront déplacer les courbes C-V vers la direction à tension positive. Troisièmement, les atomes de zinc se comportent comme accepteurs de faible épaisseur dans la couche sous-jacente du semiconducteur. Ces accepteurs changeront le revêtement d'un enduit de fond de la couche sous-jacentequi à son tour causera un changement de la capacité minimum normalisée. Les trois effets indiqués ci-dessus ont en fait été observés expérimentalement dans les cas d'échantillons de silicium des types n et p. Les mesures C-V d'échantillons à zinc diffus après 3 mois de vieillissement à la température d'une pièce à l'air montrent qu'il n'y a virtuellement aucun changement en comparaison de ceux mesurés immédiatement après la fabrication d'un dispositif.

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