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Leakage currents ofn+psilicon diodes with different amounts of dislocations

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
12
Issue
12
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(69)90017-3

Abstract

Zusammenfassung Mittles einer Technik, die auf der Beugung von Röntgenstrahlen beruht, wurden Anweisungen dafür erhalten, dass zwischen den Leckströmen planaren n + Dioden und dem Auftreten von Versetzungen in der Umgebung der n + Gebiete Beziehungen bestehen. Electrische Messungen erwiesen das Bestehen eines dominanten Rekombination-Paarzeugnisniveaus 0,055 eV unter der Mitte des verbotenen Energiebandes, mit dem Verhältnis τ p0 τ n0 >1 . Der Wert dieses Verhältnisisses weist auf das Entstehen von Donatoren hin. Oberflächenrekombination und Paarbildung wurden weitzehend unterdrückt mittels eines MOS-artigen Abschirmring.

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