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Untersuchung tiefer Stoerstellen in Zinkselenid

Authors
Publisher
Universitätsbibliothek Chemnitz
Publication Date
Keywords
  • Defekte
  • Stoerstellen
  • Tiefe Zentren
  • Deep Level Transient Spectroscopy
  • Znse
  • Ddc:530
  • Dlts
  • Zinkselenid

Abstract

Das Halbleitermaterial Zinkselenid (ZnSe) wurde mit Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) untersucht. Fuer planar N-dotierte, MO-CVD-gewachsene ZnSe-Schichten auf p-GaAs wurden vorwiegend breite Zustandsverteilungen, aber auch tiefe Niveaus gefunden. In kristallin gezuechtetem, undotiertem ZnSe wurden tiefe Stoerstellen nachgewiesen.

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