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Ohmic contacts for GaAs devices

Authors
Journal
Solid-State Electronics
0038-1101
Publisher
Elsevier
Publication Date
Volume
10
Issue
12
Identifiers
DOI: 10.1016/0038-1101(67)90063-9

Abstract

Résumé Des alliages de contact ont été développés pour être employés dans une grande variété de dispositifs AsGa tels que les transistors à haute température et les oscillateurs Gunn. Ces alliages sont composés d'argent, d'indium et de germanium pour l'AsGa de type n et d'argent, indium et zinc pour l'AsGa de type p. Les étapes de la fabrication qui nécessitent des températures atteignant 770°K pour des dispositifs à contact peuvent être obtenues. Les transistors AsGa peuvent être opérés le long d'une gamme de 20 à 770°K employant des contacts Ag-In-Ge pour l'émetteur et le collecteur et des contacts Ag-In-Zn pour la base. Des oscillateurs Gunn ont été construits pour la gamme de fréquence entre 13 et 26 GHz ayant des rendements aussi élevés que 3% à 15,8 GHz et 1% à 25GHz à regime d'ondes continues. Une simple technique a été développée pour évaluer la résistance spécifique de contact sur de fines couches épitaxiées. La résistance spécifique de contact est bien au-dessous de 10 −4 ω-cm 2 sur l'AsGa de type P et N ayant une résistivité de 0,1 ω-cm au moins. La valeur maximum etait 1 × 10 −3 ω-cm 2 mesurée sur l'AsGa de type Nà 0,2–2,6 ω-cm.

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