Deux alliages à base de titane ont été élaborés de façon à contenir environ 1% en masse de silicium. Afin de déterminer la manière dont les alliages se comportent à haute température, les alliages Ti-1%Si et TA6V-1%Si ont été recouverts d'aluminium et oxydés sous air à 850°C. Dans tous les cas, après traitement thermique, la très fine couche d'oxyd...
Published in Journal of biological regulators and homeostatic agents
The objective of this study was to compare the efficacy of supportive periodontal therapy (i.e. scaling and rooth planning, SRP) alone versus a chemical device silica dioxide (SiO2) colloidal solutions (SDCS) used in association with SRP in the treatment of chronic periodontitis in adult patients. A total of 20 patients with a diagnosis of chronic ...
Published in Journal of biological regulators and homeostatic agents
The objective of this study was to compare the efficacy of supportive periodontal therapy (i.e. scaling and rooth planning, SRP) alone versus a chemical device silica dioxide (SiO2) colloidal solutions (SL) used in association with SRP in the treatment of chronic periodontitis in adult patients. A total of 20 patients with a diagnosis of chronic pe...
En déformant de façon hétérogène la maille cristalline du silicium, un effet Pockels a été démontré pour des fréquences au-delà de 20GHz. Ce travail ouvre la voie vers le développement de nouvelles générations de composants photoniques Si.
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles arch...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles arch...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles arch...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles arch...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles arch...
Durant ces dernières années, l’apparition de nouvelles architectures (FDSOI, FinFETs ou NW-FETs) et l’utilisation de nouveaux matériaux (notamment SiGe) ont permis de repousser les limites des performances des dispositifs MOS et de contourner l’effet canal court inhérent à la miniaturisation des composants. Cependant, pour toutes ces nouvelles arch...
