L'emploi des composants de puissance à semiconducteur grand gap dans les modules de puissance est un défi pour le système d'isolation électrique des modules de puissance. Plus particulièrement, une zone appelée « point triple », située à la jonction entre trois matériaux (substrat / métallisation / encapsulation), est sujette à de forts champs élec...
L'emploi des composants de puissance à semi-conducteur grand gap dans les modules de puissance est un défi pour le système d'isolation électrique des modules de puissance. Plus particulièrement, une zone appelée « point triple », située à la jonction entre trois matériaux (substrat / métallisation / encapsulation), est sujette à de forts champs éle...
Durant les dernières décades, les activités de l'industrie de la microélcctroniquc, et ainsi la recherche en rnicroélectronique, ont été guidées par la loi de Moore. Cela a conduit à une réduction importante des dimensions fondamentales des transistors. Pour certains procédés, la dimension des matériaux a rejoint l'échelle atomique, avec les problè...
Les travaux de recherche exposés dans ce mémoire concernent principalement l'étude des phénomènes de génération, de transport et de piégeage des charges électriques dans les isolants, ainsi que leur influence sur les propriétés (frottement, adhésion, tenue au claquage...) de ces matériaux. Le but est d'accéder à la compréhension des mécanismes d'ap...
L'étude de l'endommagement induit par les ions lourds dans le volume des isolants, nous a permis de classer les isolants en deux catégories : les matériaux amorphisables et les matériaux non amorphisables. Les résultats expérimentaux des matériaux non amorphisables posent plusieurs questions concernant l'origine défauts surfacique ainsi que la sens...
The electronic properties of wide-energy gap zinc-blende structure GaN, A1N, and their alloys Ga(1-x)A1(x)N are investigated using the empirical pseudopotential method. Electron and hole effective mass parameters, hydrostatic and shear deformation potential constants of the valence band at Gamma and those of the conduction band at Gamma and X are o...
To evaluate the dynamical effects of the screened interaction in the calculations of quasiparticle energies in many-electron systems a two-delta-function generalized plasma pole model (GPP) is introduced to simulate the dynamical dielectric function. The usual single delta-function GPP model has the drawback of over simplifications and for the crys...
We successfully applied the Green function theory in GW approximation to calculate the quasiparticle energies for semiconductors Si and GaAs. Ab initio pseudopotential method was adopted to generate basis wavefunctions and charge densities for calculating dielectric matrix elements and electron self-energies. To evaluate dynamical effects of screen...
We have applied the Green-function method in the GW approximation to calculate quasiparticle energies for the semiconductors GaP and GaAs. Good agreement between the calculated excitation energies and the experimental results was achieved. We obtained calculated direct band gaps of GaP and GaAs of 2.93 and 1.42 eV, respectively, in comparison with ...
