En peu de temps, le transistor de puissance SiC a surpassé le Si dans les applications exigeant efficacité énergétique et haute fréquence de découpage. Cet article présente une architecture de commande électronique novatrice pour assurer la sécurité et surveiller la santé du transistor. Elle repose sur des résistances de grille commutées en parallè...
Les transistors MOSFET à base de 4H-SiC font partie des composants électroniques de puissance les plus prometteurs pour de nombreuses applications. Leurs performances restent cependant encore optimisables, en raison de la faible mobilité des porteurs de charge au niveau du canal d’inversion, attribuée à la présence de pièges électroniques à l’inter...
Concentrated Solar Thermodynamic Power (CSTP) technologies are among the most promising technologies for energy transition. Among these, Tower Solar Power Plants (TSPPs) are thoses that could guarantee a high electricity production despite periods without sun. This thanks to their thermal energy storage module. In addition, new research line is gro...
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Une conductivité thermique de 1,5 W/(m.K) peut être atteinte par un mélange granulaire sec de carbure de silicium. Les fractions granulométriques constituant le mélange doivent être déterminées de façon à assurer une compacité élevée du milieu granulaire (en l’occurrence une compacité de 78 %) par le choix des fractions granulométriques inférieures...
En raison de leurs propriétés nouvelles, les matériaux composites à base de nanocristaux de silicium (nc-Si) contenus dans des matrices siliciées amorphes suscitent un intérêt grandissant pour les nombreuses applications envisagées dans les domaines de l'électronique et du photovoltaïque. La fabrication de ces nanostructures est parfaitement compat...
This document is conceived as an overview of my research work on defects stability and kinetics in two materials of interest in nuclear science and for many other application domains : silicon dioxide and silicon carbide. The preliminary chapter (page ix) is an extended summary in french of chapters 1,2,3,4, followed by a four years project playing...
A P-layer can be formed on a SiC wafer surface by using multiple Al ion implantations and post-implantation annealing in a low pressure CVD reactor. The Al depth profile was almost box shaped with a height of1×1019cm-3 and a depth of550 nm. Three different annealing processes were developed to protect the wafer surface. Variations in RMS roughness ...
4H-SiC-based metal-insulator-semiconductor(MIS) ultraviolet(UV) photodetectors with thermally grown SiO2 and evaporated Al2}O3SiO}2(A/S) films are fabricated and demonstrated as normally-off and normally-on mode devices, respectively. Ultralow dark currents of3.25\times10}-10 and9.75\times10-9}\ A/cm}2 and high UV-to-visible rejection ratios of2}\t...
