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with Transimpedanzverstärker as keyword
García López, Iria
Die optische Glasfaserkommunikation ist ein wichtiger Bestandteil in der heutigen industriellen Entwicklung und des wirtschaftlichen Fortschrittes in unserer modernen Gesellschaft geworden. Um die Anforderungen des zunehmenden Datenverkehrs zu erfüllen, die für Anwendungen wie das Internet der Dinge (IoT) und Cloud-Computing benötigt werden, müssen...
Driad, R. Schneider, K. Makon, R.E. Lang, M. Nowotny, U. Aidam, R. Quay, R. Schlechtweg, M. Mikulla, M. Weimann, G.
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In this paper, we report the achieved performance of devices and integrated circuits (ICs) using a manufacturable InP DHBT-based technology. High speed MBE grown InGaAs/InP DHBTs with an effective emitter junction area of 4.8 µm2 exhibited peak f(ind T) and f(ind MAX) values of 265 and 305 GHz, respectively, at a collector current density of 3.75 m...
Schroedinger, Karl
Die vorliegende Arbeit beschreibt die Ergebnisse der Entwicklung eines vollständig integrierten Empfängerbausteins ( Light-to-Logic-Receiver ) in einer 0,35µm CMOS-Technologie. Im Eingangsteil wird auf die Problematik der digitalen Übertragungstechnik, im Speziellen der digitalen optischen Übertragungstechnik eingegangen. Dabei werden die wesentlic...
Baureis, P. Gerber, J.
This paper describes the electrical and spectral characteristics of different layers to construct photosensitive elements in standard 1.2 mu m CMOS technology. The use of commercial CMOS processes guarantees good reproduceability of the integrated sensors and optimized cointegration with sensor signal conditioning circuits. Deep and shallow photose...
Baureis, P. Göttler, D. Oehler, F. Zwicknagel, P.
A fixed 15.5 dB gain, DC to 10 GHz transimpedance amplifier using AlGaAs / GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) technology is described. A 2 mu m emitter non self-aligned HBT IC process (Ft = ca. 40 GHz, Fmax = ca. 40 GHz) with MOCVD grown layers is used to fabricate the amplifier. The 1 dB power compression is measured to be at 4 dBm ouput...
Hurm, V. Lang, M. Ludwig, G. Hülsmann, A. Schneider, J. Berroth, M. Kaufel, G. Köhler, K. Nowotny, U. Raynor, B.
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A set of ICs has been developed for the high speed data link at data rates above 10 Gbit/s. A recessed gate process for double pulse doped quantum well transistors has been used with e-beam written 0.3 Mym gates. A 4 bit multiplexer and a laser diode driver for the transmitter as well as transimpedance amplifier, bit synchronizer and 4 bit demultip...