Mesurer la durée de vie des porteurs minoritaires est indispensable pour optimiser les cellules PV. La méthode OCVD le permet dans une jonction p-n. C'est une technique relativement simple à mettre en place et peu coûteuse comparée à d'autres largement utilisées comme la PCD ou la TRPL. Cependant elle a rarement été employée pour les matériaux III-...
Le silicium est le semi-conducteur le plus utilisé dans l’industrie de la micro-électronique de puis les années 60. Mais l’utilisation du silicium pour emmètre de la lumière reste limité de part la nature indirect de son gap. Dans ce contexte, le centre G est le plus prometteur… Nous avons effectué des mesures de spectroscopie optique pour caractér...
À l'ère de l'intelligence artificielle, de Big Data et de l'Internet des Objets, le développement des NoC est devenu une priorité. Dans le cadre du projet BBC, nous avons opté pour les interconnexions WiNoC, qui assurent les besoins de communications efficaces au niveau intra-puce (latence faible, débit élevé, efficacité énergétique minimale, compa...
Au-catalyzed growth of GaAs nanowires by HVPE technique has been demonstrated in Institut Pascal many years ago on GaAs substrates. However, the current trend is to integrate these nanowires on silicon substrates, which appears to be very useful for some applications. It is the subject of the present work to develop such process using HVPE which an...
La croissance épitaxiale des semi-conducteurs III- N dans des orientations non - ou semi-polaires, permet d’éviter les effets associés à l’existence de champs internes dans les hétéro-structures à base de GaN usuellement épitaxiées dans la direction c. Le travail de thèse que nous présenterons s’inscrit dans la recherche de voies d’optimisation de ...
Over the past seven decades Si microelectronics have developed rapidly. The success of the growing microelectronic industry is also caused by the expansion of materials in addition to Si. Open challenges are the monolithic integration of group IV devices on Si photonics as well as overcoming the size mismatch between electronic parts in the nm rang...
Mon travail de thèse présenté dans ce mémoire a démarré un nouvel axe de recherche au sein du laboratoire Interdisciplinaire Carnot de Bourgogne, et s'inscrit dans le programme "Dispositifs pour le traitement de l'information" du Labex ACTION. Ce consortium de recherche vise l'optimisation de toutes les étapes d'un système de traitement d'informati...
Pour satisfaire les besoins croissants en efficacité spectrale dans les communications optiques intra-datacenters, les formats de modulation avancés présentent un intérêt majeur. Nous montrons qu'il est possible de générer des signaux optiques PAM-4 ou QPSK en appliquant deux signaux binaires sur un modulateur Mach-Zehnder dual-drive en silicium.
Um die technischen Limitierungen bezüglich der Geschwindigkeit und Verlustleistung aktueller Mikroprozessoren zu überwinden, sind neue Technologien notwendig. Eine Möglichkeit ist der Austausch klassischer metallischer Verbindungsleiter durch optische Übertragungswege. Als monolithisch integrierbare Lichtquellen kommen Germanium-basierte Leuchtdiod...
Dans le cadre de cette communication, nous présentons une modélisation de microgénérateurs thermoélectriques (μTEG) planaires réalisés en technologie Silicium compatible CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), et destinés à la récupération de toute forme d’énergie thermique (surface ~ 1/3 cm²). Ces μTEGs sont constitués d’une thermopile, su...
