Le Lez, Corentin Allanic, Rozenn Le Berre, Denis Quendo, Cédric Leuliet, Aude Merlet, Thomas Silva de Vasconcellos, Douglas Grimal, Virginie Billoué, Jérôme
Dans cet article, un filtre passe-bande en bande X intégrant une fonction d’atténuation est présenté. Laforte réjection de l’atténuateur à commande analogique est obtenue grâce à des diodes intégrées dans un substrat silicium. Ces diodes, i.e. jonctions N+PP+, intégrées réalisent les éléments résistifs accordables. Un premier filtre à 6 diodes inté...
Chiout, Anis
Les travaux de cette thèse ont porté sur l'étude de nouveaux matériaux semi-conducteurs d'épaisseur atomiquement fine, à savoir les matériaux dichalcogénures métalliques de transition 2D (TMD). Mon travail a porté à la fois sur des aspects purement fondamentaux de la matière condensée, sur la mise en place de mesures sur une plateforme nano-optoéle...
Ibrahimi, Yasmine
Les guides en nitrure de silicium (Si3N4) offrent des pertes minimales et permettent de créer des résonateurs optiques compacts de haute qualité. Tandis que, le phosphure d'indium (InP) est un semi-conducteur III-V polyvalent qui permet l'intégration de sources lasers, de modulateurs optoélectroniques, d'amplificateurs optiques et de photodétecteur...
Bosch, Julien
Flexible devices have boomed in the last decade, motivated by promises of new applications. Among these applications, consumer products can be noted, such as smart textiles and flexible screens, but also medical products, such as so called “on-skin” sensors or devices such as optogenetic cochlear implants.Regarding LEDs, some processes have allowed...
Oehler, Fabrice
Planar heteroeptaxial growth on monocrystallines substrates is by far the most widespread method to fabricate the active layers of semiconducting devices obtained using bottom-up techniques. Limitations regarding critical thickness, lattice mismatch, thermal mismatch, polarity or symmetry are well established, and they limit severely the possible c...
Desvignes, Léonard
Commonly known in metals, superconductivity can also occur in group IV semiconductors. Boron-doped silicon (SiB), one of the most common materials in the semiconductor industry, exhibits such a phase provided that the amount of active dopants nB, the atoms of B that participate in conduction, is greater than a threshold concentration nS ~2 ×10²¹cm⁻...
Aghdaei, Azin
Point defects strongly affect the electronic and optical properties of semiconductors: a better understanding of the impact of these defects on the performance of devices based on these materials is therefore of great technological interest. Over recent years, point defects have been shown to possess properties of interest for applications related ...
de Oliveira, Romain
Hybrid optomechanics is a field of research at the crossroads of optics, quantum electro- dynamics, and mechanical micro-devices. This thesis deals with the design, fabrication, and measurement of hybrid optomechanical resonators: gallium arsenide (GaAs) disks. These resonators form a trinity: they have high frequency (GHz) mechanical modes, high-q...
Virfeu, Agathe
Pour trouver des solutions alternatives à l'utilisation massive des combustibles fossiles et pour satisfaire les besoins énergétiques croissants de la population mondiale, il est indispensable de développer et de démocratiser l’emploi de l’énergie solaire. Dans cet objectif, il convient d’élaborer de nouvelles cellules solaires combinant à la fois ...
Akiki, Ghewa
This PhD thesis is devoted to the demonstration of a new area selective deposition process based on the plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) technique and to understanding the physical origin behind it.The first section of the thesis exploits Ar/SiF4/H2 plasma chemistry to selectively and locally deposit microcrystalline silicon (µc-Si...