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Reducing the Source Resistance by Increasing the Gate Effect on Substrate for Future Terahertz HEMT Device

Derrouiche, Soufiane

In this paper, we present the dependence of source resistance sensibility on the gate bias effect in a High Electron Mobility Transistor (HEMT) using the Drift-Diffus (D-D) model with the SILVACO Technology Computer-Aided Design (TCAD) tool. The obtained results show that the increases of gate bias effect on substrate lead to decreasing the source ...

Epitaxie d’hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN

El Bondry, Nadia

Les travaux de cette thèse portent sur le développement et l’étude de transistors à haute mobilité électronique à base de GaN comportant une approche innovante pour leur montée en fréquence de fonctionnement. Cette technologie repose sur l’épitaxie localisée de caissons de GaN fortement dopé de type n au niveau des contacts ohmiques. Ces caissons o...

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Reducing the Source Resistance by Increasing the Gate Effect on Substrate for Future Terahertz HEMT Device

Epitaxie d’hétérostructures innovantes pour la montée en fréquence des HEMTs à base de GaN

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