Durant cette thèse nous reporterons la réalisation d'hétérostructures à base d'As permettant la fabrication de sources lumineuses émettant à environ 1.3 μm. Cependant, l'hétéro-épitaxie des semi-conducteurs a base dAs sur un substrat de silicium restent un défi majeur principalement en raison de la différence du paramètre de maille et de la polarit...
Published in Journal of Applied Physics
Gallium nitride (GaN) is one of the front-runner materials among the so-called wide bandgap semiconductors that can provide devices having high breakdown voltages and are capable of performing efficiently even at high temperatures. The wide bandgap, however, naturally leads to a high density of surface states on bare GaN-based devices or interface ...
Les travaux de cette thèse portent sur le développement et l’étude de transistors à haute mobilité électronique à base de GaN comportant une approche innovante pour leur montée en fréquence de fonctionnement. Cette technologie repose sur l’épitaxie localisée de caissons de GaN fortement dopé de type n au niveau des contacts ohmiques. Ces caissons o...
Ce travail présente une approche d’intégration de semiconducteurs III-V sur silicium. L’objectif est de réaliser des sources laser multi-longueur d’onde émettant en bande C pour les télécommunications optiques à partir d’une croissance épaisse de matériaux III-V sur fine couche d’InP collée sur silicium oxydé (InP-SiO2/Si = InPoSi).Afin d’étudier l...
Due to the increased demand for performance in terms of data transmission, silicon photonicshas become a new paradigm. However, other fields of applications, such as biophotonicsand autonomous driving systems for instance, take advantage of this approach. In order tomeet this demand for circuits with integrated optical interconnections, this work s...
Nanowires (NW) epitaxially grown on Si substrate are efficient light absorbers and allow to integrate high-quality III-V materials on Si by preventing defects induced by the lattice-mismatch between both materials. They provide a way to fabricate tandem III-V/Si solar cells above 30% efficiency. The goal of this thesis is to develop III-V NW solar ...
This PhD thesis aims at evaluating low temperature silicon epitaxy (
An efficient electrical spin injection into an InGaAs/GaAs quantum well light emitting diode is demonstrated thanks to a CoFeB/MgO spin injector. The textured MgO tunnel barrier is fabricated by two different techniques: sputtering and molecular beam epitaxy (MBE). The maximal spin injection efficiency is comparable for both methods. Additionally, ...
Boron rich BAlN alloys have been grown on 2-inch sapphire substrates by Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy. The surface morphology of BAlN alloys exhibits a transition stage from a completely two-dimensional to a three-dimensional granular surface with an increased trimethylaluminum/group III (TMAl/III) ratio. Only a shift in the position of the 002...
