Designing smart power integrated circuits with LDMOS devices compatible standard BiCMOS technology (substrate coupling)
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Intégration de composants de puissance LDMOS compatibles BiCMOS pour les systèmes intelligents (couplages substrat) / De...
La technologie Smart PIC (Power Integrated Circuits) devrait avoir un impact sur tous les domaines dans lesquels des dispositifs semi-conducteurs de puissance discrets sont actuellement utilisés. Elle est censée créer des applications basées sur les nouvelles fonctionnalités de contrôle/commande intelligentes. Une meilleure étude des dispositifs ha...
Caractérisation des courants de fuite à l'échelle nanométrique dans les couches ultra-minces d'oxydes pour la microélect...
La miniaturisation de la structure de transistor MOS a conduit à l'amincissement de l oxyde de grille. Ainsi, la dégradation et le claquage sous contrainte électrique est devenu l'un des problèmes de fiabilité les plus importants des couches minces d'oxydes. L'utilisation de techniques de caractérisation permettant de mesurer les courants de fuite ...
Nanoscale characterization of leakage currents in ultra-thin oxide layers for microelectronics
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Etude de la faisabilité de composants de puissance sur substrat en carbure de silicium sur isolant (SiCOI)
Le substrat SiCOI est à la fois un substrat bas-coût, dans un contexte d'approvisionnement difficile de substrats SiC massifs, et d'autre part ses propriétés en font un substrat de choix dans le secteur de l'intégration monolithique de systèmes de puissance. Nous avons réalisé la démonstration de la faisabilité de composants de puissance. Nous avon...
Contribution to the development of a resonance coplanar isolator with the Finite Difference Time Domain method / Contrib...
L'objectif du travail présenté dans cette thèse tient en trois points principaux : le développement d'une méthode de modélisation permettant de simuler des dispositifs hyperfréquences non-réciproques, les validations de cette méthode puis l'optimisation d'un isolateur coplanaire à résonance à l'aide du code de calcul développé. Dans la première par...
Contribution au développement d'un isolateur coplanaire à résonance par la méthode des Différences Finies dans le Domain...
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Etude de la faisabilité de composants de puissance sur substrat en carbure de silicium sur isolant (SiCOI)
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Analyse ultime par Spectrométrie de Masses des Ions Secondaires des matériaux de la microélectronique avancée (contribut...
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Ultimate secondary ion mass spectrometry of advances microelectronics' materials (contribution to the interpretation of ...
La Spectrométrie de Masse des Ions Secondaires (SIMS) est une méthode d'analyse élémentaire qui, de part sa sensibilité et sa bonne résolution en profondeur, est une méthode de choix pour la caractérisation élémentaire des matériaux de la microélectronique. Cependant, la réduction rapide et continue des dimensions des dispositifs avancés de cette f...
