Cette thèse vise à évaluer la robustesse en court-circuit de transistors GaN 600 V normally-off du commerce. Une revue de la littérature décrit les différentes structures des transistors GaN, leurs applications possibles, et balaie les essais de court-circuit réalisés de 2013 à 2021. La robustesse des transistors est évaluée par la mesure de la dur...
L’utilisation des convertisseurs de puissance dans les applications de transport électrique à base de pile à combustible ouvre les portes de recherche sur la problématique de leur fiabilité puisqu’un défaut dans ces circuits pourrait provoquer une panne ou un disfonctionnement se répercutant sur l’ensemble de la chaine de traction. Le convertisseur...
La thèse intitulée "Conception, caractérisation et optimisation d’un transistor à effet de champ haute tension en Carbure de Silicium (SiC) et de leur diode associée", s’est déroulée au sein du laboratoire AMPERE sous la direction du Prof. D. PLANSON. Des premiers démonstrateurs de JFET ont été réalisés. Le blocage du JFET n'est pas efficace, ceci ...
